HY3410NA2P دیتاشیت

HY3410NA2P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY3410NA2P
حجم فایل 61.512 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HY3410NA2P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY3410NA2P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 288W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 133nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.835nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 140A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 294pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.7mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220FB-3
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه